利用热蒸发和溶液浸泡两步法制备了性能优良的ZnO纳米线,研究了这些ZnO纳米线的光致发光和场发射特性,与直接采用热蒸发方法生长的ZnO纳米线相比,由该方法得到的ZnO纳米线表现出了更好的紫外发光特性,同时发生5nm的蓝移,场发射测试表明其开启电场和阈值电场分别达到2.3 V／μm和6.8 V／μm。该方法适用于制备光致发光和场发射性能优良的ZnO纳米线。
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