四元混晶InGaAsP应变量子阱在组分调制下的能带转型

作者：张院生; 郭子政

来源：内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版), 2009, (01): 39-43+47.

• 四元混晶
• 量子阱
• 组分
• 能带转型
• 应变

采用模型固体理论,在计入晶格失配造成的应变效应的情况下,计算了In1-xGaxAsyP1-y/InGaAsP单量子阱中电子和空穴的能带.结果表明:通过调整混晶组分,可以方便地调制能带结构,实现能带转型;当阱由单层变为多层时,通过控制组分可使势阱由方阱变为抛物阱.

• 出版日期2009-1-15
• 单位集宁师范学院