采用改进的垂直Bridgman法生长出尺寸为Φ20 mm×40 mm、外观完整无裂纹的Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te(CZT)单晶体.沿晶体解理面切割晶片,在In、Cd气氛下进行退火热处理,经973K退火140 h后,采用能量色散谱仪(EDS)、ZC36型高阻仪和傅里叶红外分光光度计等研究了退火对晶片的成分、电学、光学性能的影响.实验结果表明:在In、Cd双源气氛下退火后:晶体的晶格完整性得到改善,电阻率提高了2～3个数量级,红外透过率显著提高.
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