摘要

利用化学沉积技术制备了NiHCF/石墨粉/MTMOS复合修饰电极,研究了NiHCF/石墨粉/MTMOS复合修饰电极作为安培型L—半胱氨酸传感器的电化学行为.NiHCF修饰电极在不同扫速的循环伏安行为表明在-0.1~+0.7 V电位窗内,半波电位(E1/2)为+0.393 V的可逆氧化还原波为[FeⅢ(CN)6]3-/[FeⅡ(CN)6]4-电对;在扫速小于100 mV/s时,阳极峰电流与扫速成很好的线性关系;当扫速大于120 mV/s时,阳极峰电流却与扫速平方根成正比,电极反应被扩散过程所控制;NiHCF修饰电极催化L—半胱氨酸结果表明NiHCF的引入明显降低了催化氧化电位;实验结果表明L—半...