Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性

作者：董茂进; 陈朝阳; 范艳伟; 丛秀云; 王军华; 陶明德

来源：功能材料, 2009, (01): 37-39.

• 双重掺杂
• 深能级杂质
• Au
• Ni
• 热敏特性 double impurities doped
• deep level impurity
• Au
• Ni
• thermal-sensitive characteristic

为了制备高B低阻的硅单晶热敏材料,采用开管涂源的方法,对n型单晶硅进行Au、Ni两种过渡族金属的双重高温掺杂,得到对温度敏感的补偿硅材料,并对其进行测试和分析。掺杂后得到的硅单晶热敏材料,其导电类型仍为n型,且电阻率较低,为欠补偿,测试结果表明其常温电阻率2ρ5=64~416Ω.cm,温度敏感系数(B值)在5300K左右;根据半导体中深能级杂质理论推导计算得到的材料的B值,与实验值基本一致。

• 出版日期2009
• 单位中国科学院大学; 中国科学院新疆理化技术研究所