以甲硅烷(20%甲硅烷+80%氢气)和氨气作为反应前驱体,选择孔隙率为20%左右的多孔石英陶瓷基体,采用CVD法在多孔石英基体表面制备了氮化硅涂层。研究了沉积反应温度、反应压力、反应气体配比以及沉积时间等工艺参数对附着力的影响,确定了CVD法制备氮化硅涂层的最佳工艺参数,通过对所得涂层及复合材料进行抗弯强度和介电性能的表征,探讨了氮化硅涂层对多孔石英基体力学性能和介电性能的影响。
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