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纳米MOSFET/SOI器件新结构
作者:张正选; 林成鲁
来源:
功能材料与器件学报
, 2003, (02): 222-226.
纳米MOSFET
SOI
双栅MOSFET
FinFET
SiGe/Si nanometer MOSFET
SOI
double-gate MOSFET
FinFET
SiGe/Si
摘要
重点介绍器件进入纳米尺度后出现的MOSFET/SOI器件的新结构,如超薄SOI器件、双栅MOSFET、FinFET和应变沟道等SOI器件,并对它们的性能进行了分析。
出版日期
2003
单位
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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