纳米GaP材料Ga填隙缺陷的EPR实验观察

作者：张兆春邹陆军崔得良

来源：波谱学杂志, 2003, (04): 335-342.

• 电子顺磁共振
• 纳米
• GaP
• 点缺陷 EPR
• nanometer
• GaP
• point defect

利用电子顺磁共振 (EPR)技术对纳米GaP粉体材料的本征点缺陷进行了研究 ,结果表明 :由EPR信息的 g因子值 ( 2 .0 0 2 7± 0 .0 0 0 4 )可以确定纳米GaP粉体材料存在Ga自填隙(Gai)本征缺陷 ;纳米GaP粉体EPR信号超精细结构消失 ,以及谱线线宽 (ΔHPP)变窄等实验现象 ,可能是由纳米材料界面的无序性 ,以及缺陷原子和界面原子之间的电子交换造成的 ;在较低的测试温度范围内 ,升高温度引起纳米GaP材料发生晶界结构弛豫 ;当测试温度由1 0 0K升高至 42 3K时 ,ΔHPP值和自由基浓度皆逐渐降低

• 出版日期2003
• 单位上海大学; 山东大学