本文采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)平面波超软赝势方法，对1.04%、1.39%、2.08%掺杂浓度下2H-Cu In O2的能带结构和电子态密度进行了理论计算研究。结果表明：随着掺杂浓度的提高，S的掺杂使纯净的2H-Cu In O2能带结构中价带顶的位置被改变，并使其带隙降低。另外S的杂质能级在2H-Cu In O2中属于浅能级杂质，会参与费米能级的形成，说明S的掺杂可以提高2H-Cu In O2的导电率。
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
