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摘要
MOVPE生长不掺杂GaAs薄层的线偏振光吸收系数电流感生变化△α的实验结果表明,△α随光波长λ呈脉冲线型非线性变化;注人电流增加,△α明显增大,且△α(λ)谱极大值位置向长波端有一个小移动以至△α(λ)谱线半值全宽也有增宽.λ=900nm处,△α值基本上随电流线性增加.
- 出版日期1991
- 单位中国科学院半导体研究所
MOVPE生长不掺杂GaAs薄层的线偏振光吸收系数电流感生变化△α的实验结果表明,△α随光波长λ呈脉冲线型非线性变化;注人电流增加,△α明显增大,且△α(λ)谱极大值位置向长波端有一个小移动以至△α(λ)谱线半值全宽也有增宽.λ=900nm处,△α值基本上随电流线性增加.
