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摘要
二维IV族金属硫属化合物作为二维层状材料的重要组成部分,由于其晶格结构具有较低的对称性且与核心半导体工艺具有很好的兼容性,在电学、光学、磁性等方面具有优异的性能,并且在地球上资源丰富且具有低成本、环保的特性,因此在光电器件领域具有很大的应用潜力.基于本课题组近年来的研究进展,本文首先介绍了二维IV族金属硫属化合物及相关异质结、三元合金等的晶体结构、制备方法与物理性能,然后对基于二维IV族金属硫属化合物的光电器件进行了重点分析,尤其是对具有面内各向异性的IV族金属硫属化合物将其应用拓展到了偏振敏感的光探测器,并对今后的研究方向进行了展望.
- 出版日期2021-11-1
- 单位中国科学院半导体研究所; 半导体超晶格国家重点实验室
