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多层片式ZnO压敏电阻器
作者:何晓明陈大任李国荣张望重刘胜利
来源:
功能材料
, 1998, (02): 85-86+100.
ZnO压敏电阻器
多层片式结构
流延工艺 ZnO varistors
multilayerchip structure
tape casting technology
摘要
用流延工艺制备了ZnOBi2O3系统的多层独石式片状结构的ZnO压敏电阻器,测量了元件的电学性能,结果表明:用常规ZnO瓷料,选用合适的厚膜制备工艺和内电极材料能得到性能良好的低压ZnO压敏电阻器。
出版日期
1998
单位
中国科学院上海硅酸盐研究所
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