单晶SiC基片的集群磁流变平面抛光加工

作者：潘继生; 阎秋生; 徐西鹏; 童和平; 祝江停; 白振伟

来源：中国机械工程, 2013, (18): 2495-2499.

• 单晶SiC
• 集群磁流变
• 平面抛光
• 表面粗糙度 SiC single crystal
• cluster magnetorheological
• plane polishing
• surface roughness

基于集群磁流变效应超光滑平面抛光理论及研制的试验装置,对单晶SiC基片进行了平面抛光试验研究。研究结果表明,金刚石磨料对单晶SiC基片具有较好的抛光效果;加工间隙在1.4mm以内抛光效果较好,30min抛光能使表面粗糙度值减小87%以上;随着加工时间的延长,表面粗糙度越来越小,加工30min时粗糙度减小率达到86.54%,继续延长加工时间,加工表面粗糙度趋向稳定。通过优化工艺参数对直径为50.8mm(2英寸)6H单晶SiC进行了集群磁流变平面抛光,并用原子力显微镜观察了试件加工前后的三维形貌和表面粗糙度,发现经过30min加工,表面粗糙度Ra从72.89nm减小至1.9nm,说明集群磁流变效应...

• 出版日期2013
• 单位华侨大学; 广东工业大学