不同氧掺杂硫化钼的光谱性质分析

作者：王思雨; 王亚楠; 阮伟东^*; 赵冰

来源：光谱学与光谱分析, 2023, 43(S1): 137-138.

• 硫化钼
• 氧掺杂
• SERS

少量的氧对材料性质的影响也是十分显著的，在非氧化物半导体中可以通过一定的实验设计引入氧[1]。在此，我们通过水热方法合成了一种氧掺杂的硫化钼，并在不同的温度下通过退火处理获得不同氧掺杂量的MoSxOy。在本工作中所获得的MoSxOy通过光谱分析可推测其获得了氧空位和氧结合。在SERS基底的应用中，新引入的氧空位和氧结合可能引起电荷转移共振增强以及激子共振，从而放大半导体基底-分析物-分子之间的之间的作用，实现半导体的SERS增强，为半导体在SERS基底上的应用提供了新的思路。

• 出版日期2023
• 单位超分子结构与材料国家重点实验室; 吉林大学