电流控制LPE生长In_（1－x）Ga_xAs_yP_（1－Y）

作者：曾庆科; 曾宪富

来源：半导体光电, 1995, (02): 142-146.

• 半导体材料
• 液相外延生长
• 材料制备
• 半导体薄膜 Semiconductor Materials
• Liquid Phase Epitaxy Growth
• Materials Preparation
• Semiconductor Thin Films

用电流控制液相外延（ＣＣＬＰＥ）方法首次在（１００）ＩｎＰ衬底上成功地生长出Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ（０．３０＜ｘ＜０．４７，０．７０＜ｙ＜０．９６）外延层，并对外延层特性进行了详细研究，提出在ＩｎＰ衬底上生长电外延层的机理，推导出生长动力学的理论模型，该模型与上述实验结果十分吻合。

• 出版日期1995
• 单位华南理工大学; 广西师范大学