沉淀剂对ZnO压敏陶瓷缺陷结构和电气性能的影响

作者：王辉; 蔺家骏; 何锦强; 廖永力; 李盛涛

来源：Acta Physica Sinica, 2013, (22): 337-343.

• ZnO压敏陶瓷
• 缺陷结构
• 沉淀剂
• 介电性能 ZnO varistor ceramics
• defect structure
• precipitant
• dielectric properties

研究了不同沉淀剂(NH4HCO3和NaOH)对共沉淀法制备的ZnO压敏陶瓷性能的影响.结果表明:不同的沉淀剂对ZnO压敏陶瓷的微观结构及电气性能有明显的影响.其中陶瓷微观结构的变化主要由沉淀剂本身的性质引起;而电气性能的改变除了与微观结构相关外,主要受不同沉淀剂对陶瓷晶界势垒参数的影响;此外,沉淀剂NaOH引入的Na+作为施主杂质离子掺杂ZnO压敏陶瓷,增加晶粒中的自由电子浓度,因此本征缺陷(锌填隙和氧空位)浓度受到抑制,而锌填隙浓度相对于氧空位而言对施主离子掺杂更为敏感.由此,采用共沉淀法制备ZnO压敏陶瓷粉体时,沉淀剂种类的选择很重要,即使微量的杂质也会引起压敏陶瓷性能的较大改变,应尽可能...

• 出版日期2013
• 单位南方电网科学研究院有限责任公司; 西安交通大学; 电力设备电气绝缘国家重点实验室