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摘要
采用磁控溅射沉积技术在贫铀上镀铝膜,利用X射线衍射原位研究了铝镀层与贫铀基体的界面反应,分析了界面反应产物随温度和时间的变化规律。实验结果显示,镀膜过程Al/U界面没有化合物形成,而在较高温度下（≥335℃）两相界面会发生反应并形成金属间化合物UAl3相,反应动力学符合形核-生长机制。形成的UAl3相为疏松的层状结构,且相应的衍射峰强度随温度的升高而逐渐降低,直至消失,文中对该现象的原因进行了分析和讨论。
- 出版日期2017
- 单位中国工程物理研究院; 中国工程物理研究院材料研究所
采用磁控溅射沉积技术在贫铀上镀铝膜,利用X射线衍射原位研究了铝镀层与贫铀基体的界面反应,分析了界面反应产物随温度和时间的变化规律。实验结果显示,镀膜过程Al/U界面没有化合物形成,而在较高温度下（≥335℃）两相界面会发生反应并形成金属间化合物UAl3相,反应动力学符合形核-生长机制。形成的UAl3相为疏松的层状结构,且相应的衍射峰强度随温度的升高而逐渐降低,直至消失,文中对该现象的原因进行了分析和讨论。
