一种高频E类功率放大器设计方法

作者：刘超; 陈钟荣

来源：半导体技术, 2015, 40(09): 658-662.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.09.004

• 负载牵引
• E类
• 功率放大器(PA)
• 最大频率
• 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)
• 谐波阻抗

E类功率放大器(PA)具有设计简单和高效率的优点,然而频率较高时功率管的寄生输出电容大于E类功率放大器所需的电容,这个寄生输出电容导致E类功率放大器的效率降低。提出一种高频E类功率放大器的设计方法,使用负载牵引得到考虑寄生输出电容后的最佳负载阻抗,再结合谐波阻抗控制方法设计E类功率放大器。采用飞思卡尔的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)功率管MRF21010设计了一款工作在930960 MHz的E类功率放大器。测试数据表明,该功率放大器的输出功率为36.8 d Bm(4.79 W),具有79.4%的功率附加效率。

• 出版日期2015
• 单位物理学院; 南京信息工程大学