低温暗退火对TOPCon结构钝化性能的影响

作者：黄嘉斌^*; 李明; 赵增超; 陈骏; 周小荣; 邓新新

来源：太阳能, 2023, (09): 60-66.

DOI：10.19911/j.1003-0417.tyn20230314.01

• 低温暗退火
• TOPCon结构
• 钝化性能
• 多晶硅太阳电池

n型隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)结构用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备，完成高温快速烧结后，再经过低温暗退火可以极大地提升钝化接触的性能，主要表现在隐含开路电压上升和饱和电流密度下降，其原理是通过低温暗退火的方法激活氢原子，使SiNx:H中的氢原子向内部扩散，Si-SiO2界面进一步氢钝化来提高钝化性能。研究结果表明：钝化膜层的质量、暗退火工艺的退火温度和退火时间等对钝化性能提升有很大影响。在最佳退火条件下，获得了6137μs和0.7422 V的高少子寿命和高隐含开路电压，以及3.66 fA/cm2的低饱和电流密度。

• 出版日期2023
• 单位湖南红太阳光电科技有限公司