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Resistive Switching Characteristics of Al2O3 Film for Transparent Nonvolatile Memory
作者：Kim Myeongcheol; Choi Kyung Cheol
来源：
IEEE Transactions on Nanotechnology
, 2017, 16(6): 1129-1131.
DOI：10.1109/TNANO.2017.2723421
出版日期
2017-11
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