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Two-layer photo-thermal deflection model to study the non-radiative recombination process: Application to Ga0.7In0.3As0.23Sb0.77/GaSb and Al0.3Ga0.7As0.08Sb0.92/GaSb laser structures (vol 113, 183705, 2013)

作者：Ilahi S*; Yacoubi N; Genty F
来源：Journal of Applied Physics, 2013, 113(23): 239902.
DOI：10.1063/1.4811543
  • 出版日期2013-6-21

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更新时间：2019-03-28 05:54