面向IGZO-TFT-AMOLED像素电路设计的V_(TH)检测方法研究

作者：王奥运; 胡照文; **; 尹芊奕; 廖聪维; 邓联文

来源：发光学报, 2016, 37(05): 608-615.

• IGZO
• TFT
• AMOLED
• 阈值电压补偿

由于迁移率高、均匀性好、制备成本低等优势,铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)有望促成有源矩阵有机发光显示器件(AMOLED)的大规模量产。但是IGZO TFT存在阈值电压(VTH)漂移的问题,实用的AMOLED像素电路必须对VTH漂移进行补偿以实现较好的显示效果,而VTH的检测是AMOLED像素电路设计中的关键环节。本文系统研究了VTH检测方法,比较了放电法、充电法、偏置电流法补偿VTH的效果,研究了VTH检测时间和TFT寄生电容等参数的影响。研究结果表明:放电法不能精确地补偿负VTH漂移,充电法需要的VTH检测时间最长,偏置电流法能够达到的补偿精度最高。

• 出版日期2016
• 单位物理与电子学院; 中南大学