螯合剂在TSV CMP中对铜膜抛光效果的影响

作者：洪姣; 刘玉岭; 牛新环; 王辰伟; 闫辰奇; 张金; 张燕

来源：微纳电子技术, 2015, (12): 791-794.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2015.12.008

• 螯合剂
• 硅通孔(TSV)技术
• 碱性抛光液
• 去除速率
• 粗糙度 chelating agent
• through silicon via(TSV)technique
• alkaline slurry
• removal rate
• roughness

化学机械抛光(CMP)是硅通孔(TSV)工艺中的关键步骤之一,抛光工艺和抛光液是影响抛光效果的两大决定因素。主要研究了抛光液中螯合剂在TSV CMP中对铜膜去除速率及抛光后铜膜表面粗糙度的影响,由实验结果可知,随着抛光液中螯合剂体积分数的增加,铜膜去除速率先增加后趋于平衡,螯合剂体积分数为5%时铜膜的去除速率最大,约为1 450 nm/min;随着抛光液中螯合剂体积分数的增加,抛光后铜膜表面粗糙度先减小后增大,螯合剂体积分数为5%时铜膜表面粗糙度最小,约为1.77 nm。

• 出版日期2015
• 单位河北工业大学