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A Built-In Self-Test Structure (BIST) for Resistive RAMs characterization: Application to bipolar OxRRAM

作者：Aziza H; Bocquet M; Moreau M; Portal J M
来源：Solid-State Electronics, 2015, 103: 73-78.
DOI：10.1016/j.sse.2014.09.005
  • 出版日期2015-1

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更新时间：2021-04-14 03:20