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摘要
本实用新型公开了一种优化的LED图形化衬底及LED芯片,其中一种优化的LED图形化衬底,衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的火山口图案组成；火山口图案为中心具有倒圆台凹坑的凸圆台图案；倒圆台凹坑的倾角α为30°～38°；倒圆台凹坑的深度h为对应倒圆锥图案深度H的85%～94%；倒圆台凹坑的宽度a为凸圆台上表面宽度A的93%～95%。所述LED芯片,包括上述优化的LED图形化衬底。本实用新型与现有技术相比,充分利用了圆台上表面的平面区域,增加有效光散射的斜面面积,具有比同高度、同底部宽度的其他图案图形化衬底更优的光提取效率。
- 出版日期2013-7-24
- 单位华南理工大学
