为获得具有超光滑表面的碘化铯（CsI（TI））基片,需对其表面进行抛光加工处理。利用CsI（TI）晶体的水解特性和化学机械抛光理论,提出对CsI（TI）采用水解抛光的加工方法。通过改变抛光加工中的工艺参数,即抛光液配比、转速和压强进行实验,获得水解抛光CsI（TI）晶体的抛光机制及表面粗糙度Ra与材料去除率随加工用量的变化规律。
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