Al-2N高共掺浓度对ZnO半导体导电性能影响的第一性原理研究

作者：侯清玉; 赵春旺; 金永军

来源：Acta Physica Sinica, 2009, (10): 7136-7140.

• ZnO半导体
• 浓度
• 电导率
• 第一性原理 ZnO semiconductor
• concentration
• conductivity
• first principles

采用基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,在同等环境条件下,建立了不同大小的ZnO模型,在ZnO中对不同浓度的氮和铝原子进行了高掺杂,并对低温条件下高掺杂氮和铝原子的ZnO半导体进行了态密度计算,然后分别对进入价带的相对空穴数和空穴散射迁移率进行了计算,最后对电导率进行了类比,发现适量低浓度的高掺杂氮和铝原子会使ZnO半导体的导电性能增强.即在低温高掺杂氮和铝原子的条件下,ZnO半导体的电导率不仅与掺杂氮和铝原子浓度有关,而且和进入价带的相对空穴数有关.和空穴散射的迁移率有关的结果,与实验结果对比分析,计算和实验结果相一致.

• 出版日期2009
• 单位内蒙古工业大学