分子束外延低温生长GaAs的Raman光谱研究

作者：江德生李学平孙宝权韩和相

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 1998, (09): 68-72.

• 喇曼光谱
• Raman光谱
• 快速热退火
• 分子束外延
• 无定形
• 低温生长
• 声子
• 晶体质量
• 淀积
• 显微镜研究

我们对从ＧａＡｓ衬底剥离下来的低温下分子束外延生长的ＧａＡｓ（ＬＴＧ－ＧａＡｓ）薄膜进行了喇曼光谱测量，研究了不同温度下生长的ＬＴＧ－ＧａＡｓ在退火前后晶体完整性的变化．我们首次观测到了１９０℃生长样品中Ａｓ沉淀物所引起的喇曼峰，并证明８００℃快速热退火３０秒后产生的Ａｓ沉淀物是无定形Ａｓ．

• 出版日期1998
• 单位中国科学院半导体研究所