A位掺杂Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的制备及铁电性能研究

作者：郭淑兰; 王敏; 徐学东; 李佳

来源：中国陶瓷, 2010, (12): 12-14.

DOI：10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2010.12.016

• 溶胶-凝胶
• 铁电薄膜
• 极化值 sol-gel
• erroelectric thin film
• PBr valus

采用溶胶-凝胶法制A位掺杂Bi4Ti3O12(BTO)的铁电薄膜Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)、Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNT)及Bi3.15(La0.5Nd0.5)0.85Ti3O12(BLNT);XRD结果表明制备的薄膜具有(117)和(00l)的混合取向;在10V电压下,BLT、BLNT和BNT薄膜的Pr分别为13.14μC/cm2、20.65μC/cm2和21.23μC/cm2;FE-SEM显示BNT薄膜表面光滑致密,颗粒均匀,薄膜厚度约为300nm。

• 出版日期2010
• 单位长春工程学院