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摘要
应用电容电压、光致荧光和深能级瞬态谱技术研究了分子束外延生长的ｎ型Ａｌ掺杂ＺｎＳ１－ｘＴｅｘ外延层深中心．Ａｌ掺杂ＺｎＳ０９７７Ｔｅ００２３的光致荧光强度明显低于不掺杂的ＺｎＳ０９７７Ｔｅ００２３，这表明一部分Ａｌ原子形成非辐射深中心．Ａｌ掺杂ＺｎＳ１－ｘＴｅｘ（ｘ＝０，００１７，００４和００４６）的深能级瞬态傅里叶谱表明，Ａｌ引进导带下的０２１和０３９ｅＶ电子陷阱，Ｔｅ除了作为材料合金的成分和等电子中心外，还涉及到一个电子陷阱的形成，其相对于导带的能级位置随Ｔｅ组分增加而减小．实验结果还表明仅有少量掺杂的Ａｌ原子形成非辐射中心，这说明Ａｌ对于Ｔｅ组分范围内（ｘ≤００４６）的ＺｎＳ１－ｘＴｅｘ外延层的确是一种非常好的施主杂质
- 出版日期1998
- 单位中国科学院半导体研究所
