电化学Ta_2O_5薄膜漏电流机理的研究进展

作者：石维; 杨邦朝; 张选红; 方鸣; 马建华; 李玮; 王兴伟

来源：化工进展, 2013, (04): 832-836.

DOI：10.3969/j.issn.1000-6613.2013.04.018

• 电化学方法
• Ta2O5薄膜
• 钽电解电容器
• 漏电流 electrochemistry
• Ta2O5 thin films
• tantalum electrolytic capacitor
• leakage current

介绍了阳极Ta2O5薄膜的电化学形成机理,并重点分析了电化学形成的Ta2O5薄膜漏电流机理的研究进展。描述了影响电化学Ta2O5薄膜生长的关键因素,包括氧含量、杂质缺陷和薄膜晶化等;分析了Ta2O5薄膜漏电流机理,如空间电荷限制电流(SCLC)、Fowler-Nordheim(F-N)导电机理、Pool-Frenkel(PF)发射、Schottky(S)发射等。最后展望了降低电化学Ta2O5薄膜材料的漏电流的理论及技术发展前景,Ta2O5薄膜后期的热处理、高分子增强塑性和复合薄膜技术等方面的新技术的应用将值得期待。

• 出版日期2013
• 单位电子科技大学