对碲镉汞(Hg1-xCdxTe)材料的电学特性进行了变温实验研究.通过变温(80~300 K)霍尔效应测量,研究了Hg1-xCdxTe材料的霍尔系数RH、电导率σ和霍尔迁移率μH的温度依赖关系.结果表明,Hg1-xCdxTe晶体在低温下为p型导电,而在室温下为n型导电.
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