Al,Si,P掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响

作者：李艳慧; 刘中山; 赵建华; 赵宝; 戴宪起

来源：河南师范大学学报(自然科学版), 2011, (05): 51-54.

DOI：10.16366/j.cnki.1000-2367.2011.05.043

• 石墨烯
• Al掺杂
• Si掺杂
• P掺杂
• 吸附
• 第一性原理 graphene
• Al doping
• Si doping
• P doping
• adsorption
• Ge
• first-principle

利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了Al、Si和P掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响.Ge原子在完整石墨烯上吸附的最稳定位置为桥位,Ge的吸附改变了石墨烯中C原子的电子自旋性质;Al、Si和P掺杂石墨烯使衬底C原子发生了移动,且Si,P原子掺杂比Al掺杂石墨烯容易;杂质类型对Ge在石墨烯上的吸附位置有较大的影响,Al、Si、P掺杂增强了Ge在石墨烯上的吸附,其中Al掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响最大,P掺杂次之,Si掺杂最小;Ge吸附Al掺杂体系和Si掺杂体系不具有磁性,Ge吸附P掺杂体系具有磁性.

• 出版日期2011
• 单位河南师范大学