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摘要
本发明公开了一种氮化镓基射频收发前端结构,涉及5G集成电路领域。针对芯片中央无法打绑定线导致放大器不能实现双侧偏置的问题提出本方案。衬底在间隙设置若干接地通孔,接地通孔沿间隙延伸方向分布；间隙内接地通孔与第一放大器之间设有同向延伸的第一电源总线、接地通孔与第二放大器之间设有同向延伸的第二电源总线；第一放大器靠近间隙的直流偏置端与第一电源总线连接,第二放大器靠近间隙的直流偏置端与第二电源总线连接；第一电源总线和第二电源总线的一端分别延伸至所在芯片的外侧焊盘。优点在于,解决芯片中央不能打绑定线的问题,实现片上并行的放大器都能做到双侧直流偏置,有效提高芯片性能以及稳定性。
- 出版日期2020-11-19
- 单位华南理工大学
