铜掺杂钴氧化物Cu_xCo_(3-x)O_4的制备及其电化学电容性能

作者：梁鹏举; 张亚军; 张富海; 张海英; 杨玉英; 张子瑜; 胡中爱

来源：化工新型材料, 2012, (05): 68-70+80.

• 超级电容器
• 化学共沉淀
• 铜掺杂钴氧化物(CuxCo3-xO4) supercapacitor
• chemical coprecipitation
• copper doping cobalt oxide(CuxCo3-xO4)

采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)对铜掺杂钴氧化物(CuxCo3-xO4)纳米粒子样品的结构和形貌进行了表征;用循环伏安,恒流充放电,交流阻抗等电化学方法对其电化学性能进行了测试。结果表明:钴和铜的摩尔比对目标产物的电化学性能有显著的影响,当钴和铜的摩尔比为2.67∶0.33时,样品的电化学性能最佳。在电流密度为1A/g时,比电容达到492F/g,且在3A/g的电流密度下,经过2000次充放电循环后,其比电容值没有衰减,表明Cu0.33Co2.67O4是一种良好的超级电容器电极材料。

• 出版日期2012
• 单位西北师范大学