碳化硅压力传感器结构仿真及优化

作者：李帅; 王建平

来源：电子世界, 2017, (22): 12-14.

DOI：10.19353/j.cnki.dzsj.2017.22.004

• SiC压力传感器
• 压力传感器应变膜
• 有限元分析方法
• 微压力传感器

SiC半导体材料因具备较大的禁带宽度、高临界电场强度、高热导率和高载流子饱和漂移速度而成为制作高温、高压、大功率及耐辐射电子器件的极有希望的材料。本文首先介绍了分析薄膜应变所用的弹性力学和板壳理论。

• 出版日期2017
• 单位大同大学