沉积条件对室温下磁控溅射AZO薄膜微结构与光电性能的影响

作者:莫敏静; 刘哲; 马紫腾; 董志虎; 刘雍; 魏长伟; 何春清*
来源:半导体光电, 2022, 43(03): 561-577.
DOI:10.16818/j.issn1001-5868.2021122202

摘要

通过控制室温下射频磁控溅射过程中不同的氩气工作气压、溅射功率和沉积时间,在石英玻璃上沉积Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,探究了三种工艺条件对制备的AZO薄膜的微结构及光电性能的影响。所制备的AZO薄膜经500℃退火后均为六方纤锌矿结构,具有优异的透明度,在可见光范围内的平均透过率均在86%以上。在气压0.25 Pa、功率200 W下,溅射时间为10 min时,薄膜的电阻率低至5.04×10-3Ω·cm,而溅射时间为15 min时,Haacke性能指数最优,为0.314×10-3Ω-1。结果表明,磁控溅射制备的AZO薄膜的晶体结构、方阻和透过率等特性与制备过程中的气压、功率和时间密切相关,通过评价性能指数可指导优化AZO薄膜的制备工艺。

  • 出版日期2022

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