MOVPE生长GaN的表面反应机理

作者：辛晓龙; 左然; 童玉珍; 张国义

来源：发光学报, 2015, (07): 744-750.

• GaN薄膜
• MOVPE
• DFT
• 表面反应 GaN
• MOVPE
• DFT
• surface reaction

利用量子化学的DFT理论,对MOVPE生长GaN薄膜的表面初始反应机理进行研究。通过计算GaCH3和NH3在GaN(0001)-Ga面的4种吸附位的能量曲线发现,GaCH3在各吸附位的吸附能差值不大,因此容易在表面迁移;而NH3在各吸附位的吸附能差值较大,最稳定吸附位为Top位,迁移到其他位置需要克服较大能垒。在此基础上,提出了以NH3和GaCH3为表面生长基元,在GaN(0001)-Ga面连续生长,最终形成环状核心的二维生长机理:在环状核心形成过程中,第1个GaN核生长需要3个NH3和1个GaCH3,可表示为Ga(NH2)3。第2个GaN核生长可利用已有的1个N作为配位原子,故只需2个NH3...

• 出版日期2015
• 单位北京大学