碳硅共掺杂AlN晶体的电子结构分析

作者：闫征; 武红磊; 郑瑞生

来源：硅酸盐通报, 2013, 32(08): 1468-1471.

DOI：10.16552/j.cnki.issn1001-1625.2013.08.002

• AlN
• 第一性原理
• 共掺杂
• 电子结构

采用基于密度泛函理论的全势线性缀加平面波法,研究了C∶Si共掺杂纤锌矿AlN晶体的32原子超胞体系,得到了该体系的能带结构、电子态密度等性质,在此基础上分析了C∶Si共掺杂实现AlN晶体p型掺杂的机理。在AlN晶体的掺杂体系中,当C、Si的浓度相等时,会形成C-Si复合物,但施主和受主杂质相互补偿致使自由载流子浓度较低;当提高C的掺杂浓度时,会形成C2-Si,C3-Si等复合物,这些复合物的生成能够提高受主杂质的固溶度,降低受主激活能,有效提高空穴浓度。分析表明:C∶Si共掺杂有利于获得p型AlN晶体。

• 出版日期2013
• 单位深圳大学