Nd掺杂Bi_4Ti_3O_(12)陶瓷样品的铁电、介电性能

作者：陆文峰; 毛翔宇; 陈小兵

来源：扬州大学学报(自然科学版), 2005, 8(04): 24-27.

DOI：10.3969/j.issn.1007-824X.2005.04.007

• Bi4Ti3O12陶瓷
• Nd掺杂
• 剩余极化
• 介电性能

层状钙钛矿铁电体材料B i4-xN dxT i3O12(x=0.0~0.9)陶瓷样品适量N d掺杂可提高B i4T i3O12(B IT)的铁电性能.当掺杂量为0.6时,样品的剩余极化达到最大值.样品的相变温度(tc)随掺杂量的增加而降低,当掺杂量大于0.6时,tc下降速率增大.随着N d含量的增加(x>0.6),样品的弛豫程度明显提高.N d掺杂降低了样品的氧空位浓度,提高了B IT样品的铁电性能.

• 出版日期2005-11-30
• 单位扬州大学