研究了电子束注入对多孔硅吸杂效果的影响。采用电化学腐蚀方法利用双电解槽在单晶硅片上制备多孔硅。电子束注入以后多孔硅的微观形貌发生了变化,通过3min的电子束注入处理,硅片的电阻率发生了明显的改变,大于相同条件下经过快速热处理的硅片的电阻率,这充分证明了电子束注入有热效应与电场效应的双重作用,对去除杂质B有一定的效果。电子束注入时间对去除杂质的效果有一定的影响。
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
