首次采用双重肖特基势垒增强层技术，制作了ＩｎＧａＡｓ金属－半导体－金属光电探测器。实验结果表明：具有１５ｎｍ的ｐ－ＩｎＰ和１００ｎｍ的ＩｎＰ双重势垒增强层的器件，极大地减小了暗电流，最小达４．７ｎＡ（１０Ｖ），证明这是一种减小金属－半导体－金属光电探测器暗电流的有效途径
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