采用无压液相烧结方法,制备Nd OCl-Mg O助烧剂总质量分数为9%,Nd OCl/Mg O不同配比的Si C陶瓷.对陶瓷样品的晶体结构和表面微结构进行检测分析,并研究讨论了助烧剂不同配比对Si C陶瓷介电性能的影响.结果表明:随着Nd OCl/Mg O比例的增加,样品中孔隙有减少趋势;Nd OCl与Mg O配比为4∶5时样品相对介电常数及介电损耗均比配比为2∶7时要小,二者介电损耗随温度变化近似线性变化.
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