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An "ohmic-first" self-terminating gate-recess technique for normally-off Al2O3/GaN MOSFET
作者：Wang Hongyue; Wang Jinyan; Li Mengjun; He Yandong; Wang Maojun; Yu Min; Wu Wengang; Zhou Yang; Dai Gang
来源：
Japanese Journal of Applied Physics
, 2018, 57(4): 04FG05.
DOI：10.7567/JJAP.57.04FG05
出版日期
2018-4
单位
北京大学
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