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Different Ground Plane (GP) Architectures on 25 nm Single-Gate (SG) versus Double-Gate (DG) UTBB SOI MOSFETs from Analog and RF Perspectives
作者:Othman Noraini; Arshad M K Md; Sabki S N
来源:
Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics
, 2017, 12(4): 392-399.
DOI:10.1166/jno.2017.2029
出版日期
2017-4
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