铈盐掺杂GPTMS/TEOS硅烷杂化膜腐蚀电化学行为随时间的变化

作者：张金涛; 李春东; 潘亮; 胡吉明

来源：腐蚀与防护, 2009, (12): 879-882+908.

• 铈盐
• 有机硅烷
• 铝合金
• 极化曲线
• 电化学阻抗谱 cerium salt
• silane
• aluminum alloy
• polarization curve
• electrochemical impedance spectroscopy

以γ-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷(GPTMS)和正硅酸乙酯(TEOS)为前躯体,采用溶胶-凝胶法在LY12铝合金基体表面制备了铈盐Ce(NO3)3掺杂有机-无机杂化膜。通过极化曲线与电化学阻抗谱(EIS)研究铈盐掺杂硅烷杂化膜在3.5%(质量分数)NaCl溶液中耐蚀性能随浸泡时间的变化。结果表明,硅烷杂化膜的极化阻抗值随浸泡时间延长而缓慢降低,但浸泡183 h后仍显著高于金属基体;铝合金点蚀电位在浸泡期间呈现先降低后升高再降低的变化。在浸泡初期,EIS曲线的高频容抗行为显著。从69 h至260 h浸泡试验结束,低频阻抗值保持基本稳定。上述变化与膜中掺杂的铈盐具有自修复性质密切相关。

• 出版日期2009
• 单位常州工学院