SnO2薄膜对锆钛酸铅光电性能的提升

作者:岳建设; 李祯; 王晓芳; 李尔波; 师娜
来源:硅酸盐学报, 2019, 47(10): 1473-1477.
DOI:10.14062/j.issn.0454-5648.2019.10.15

摘要

锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜具有良好的铁电–光伏特性,是性能优良的光电器件材料。使用溶胶–凝胶法在单晶硅上制备PZT铁电薄膜,为了增加PZT薄膜的光伏特性,使用气相沉积技术在PZT薄膜表面沉积一层SnO2半导体薄膜。结果表明:光电转化效率从7.32×10–6提高至2.17×10–5,提升了约2倍。SnO2薄膜能够消除电极与PZT之间的Schottky势垒,有效地分离所产生的电子–空穴对,显著增加PZT的光电流,对PZT极化后,使退极化电场与SnO2/PZT界面电场方向一致,在二者电场的共同作用下,可以进一步分离光生电子–空穴,PZT的光电流提高了1倍。

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