低噪声HT_c rf SQUID芯片可控制备的实验研究

作者：陶伟; 王昕晔; 魏玉科; 刘政豪; 张辰; 马平

来源：低温与超导, 2013, (03): 10-15.

DOI：10.16711/j.1001-7100.2013.03.016

• 低噪声
• 超导量子干涉仪
• 台阶结
• 外延生长
• 晶界 Low noise
• SQUID
• Step-edge junctions
• Epitaxial growth
• Grain boundaries

针对低内禀噪声要求条件下HTcrf SQUID芯片制备成品率和优质率低等问题,通过对YBCO薄膜的PLD制备工艺参数及所制作的YBCO薄膜性能与微观形貌的观测分析,提出晶界结构的非均匀和不一致性可能是影响低噪声台阶边沿型晶界结制备质量的观点,进而以淀积温度为典型控制参数设计了一组实验,对实验获取的YBCO薄膜和SQUID芯片的性能测试表明:YBCO薄膜生长的三高条件(高淀积温度、高氧分压和高激光能量密度)易造成薄膜表面平整度恶化和晶界构型的不均匀,而选择合适的淀积温度可有效提高SQUID芯片的噪声性能。

• 出版日期2013
• 单位北京大学; 中国人民解放军海军工程大学; 中国人民解放军海军装备研究院