利用多层金属导体寄生电容模型,详细分析了不同的金属互连线参数对寄生电容的影响,并采用一个闭合公式对超深亚微米级集成电路中的RC互连延迟进行估计。结果表明,当金属导线的纵横比接近2时,线间耦合电容对互连总电容的影响将占主导地位。在超深亚微米工艺条件下,当金属线宽和间距比例W/P的最优质值为0.5~0.6时,计算的互连延迟为最小。此外,还给出了低介电常数材料对互连线电容和延迟的影响,为超深亚微米级的集成电路设计与实现提供有益的参考。
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