2Gbps GaAs单片4bit数模转换器的设计与实现

作者：张有涛; 夏冠群; 高建峰; 李拂晓

来源：固体电子学研究与进展, 2006, (01): 34-37.

• 数模转换器
• 超高速
• 砷化镓
• 金属半导体场效应晶体管 DAC
• high-speed
• GaAs
• MESFET

详述了单片超高速2G bps G aA s 4b it数模转换器(DAC)的设计、制造及测试。在南京电子器件研究所标准76 mm G aA s工艺线采用0.5μm全离子注入M ESFET工艺完成流片。芯入输入输出阻抗实现在片50Ω匹配。4 b it DAC的微分非线性(DN L)为±0.22最低有效位(LSB),积分非线性(IN L)为±0.45LSB,达到5.2 b it的转换精度。该单片电路提供差分互补输出,长周期输出特性无漂移。其最高转换速率可达2 G bps,建立时间小于250 ps,电路核心部分功耗为110 mW。

• 出版日期2006
• 单位中国科学院上海微系统与信息技术研究所